台积电显然在研发过程中又取得了重大突破。这次，这家全球最大的合同芯片制造商在其2nm架构的开发方面取得了长足的进步，该架构将在不久的将来在处理器中看到。

根据PatentlyApple的一份报告，其供应链的消息来源透露，即将到来的2nm工艺将采用一种新的多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)架构，这与该器件中使用的鳍式场效应晶体管(FinFET)架构不同。 3nm和5nm工艺。这一发展也标志着台积电像三星一样，在目前的竞争中遥遥领先。

台积电一位官员还对出版物表示：“我们很乐观地认为，2023年下半年风险试生产的良率将达到90%，这将有助于我们继续赢得来自苹果和惠达等主要制造商的大订单。未来。”此外，该公司计划在2024年某个时候达到量产能力。星Galaxy S20 FE vs onePlus 8 vs Xiaomi Mi 10 Pro：规格对比。

早在2019年，台积电就专门成立了一个研发团队，为2nm工艺的开发找到可行的途径。该团队还必须考虑成本，设备兼容性，技术成熟度和性能以及其他条件。值得注意的是，2nm架构采用了基于环绕栅(GAA)工艺的MBCFET，解决了FinFET工艺导致的电流控制泄漏的物理限制。

虽然这家芯片制造商已经在为2024年开发2nm处理器，但它也已经开始研究超出其范围的工艺。这包括在不久的将来进行1nm制程和其他风险投资的可能性。根据DigiTimes的报告，台积电也在加紧扩大其中部工厂的2nm工艺。该报告还表明公司与其竞争对手三星之间的差距正在扩大。

来源：飞机E族，原载地址：http://www.feijizu.com/article/20220903/1885.html欢迎分享本文！